Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3825
Herst. Teile-Nr.:
IPB80R290C3AATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolMOS C3A-Technologie wurde entwickelt, um die wachsenden Anforderungen an höhere Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEV und BEV zu erfüllen.

Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstromleistung

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