Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 229-1819
Herst. Teile-Nr.:: IPB120P04P4L03ATMA2
Hersteller:: Infineon

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 229-1819
Herst. Teile-Nr.:: IPB120P04P4L03ATMA2
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L-03, –40 V, P-Kanal, max. 3,1 mΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM-P2

Der P-Kanal-Logikpegel-MOSFET von Infineon hat die höchste Strombelastbarkeit und ist zu 100 Prozent Lawinengeprüft. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad.

Zusammenfassung der Merkmale

•P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp

•AEC-Zulassung

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

•100 % Lawinengeprüft

Vorteile

•Für einen hohen Seitenantrieb ist keine Ladepumpe erforderlich.

•Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung

•Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

•Höchste Strombelastbarkeit

•Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz

•Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit

•Standardgehäuse TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Anwendungsmöglichkeiten

•Hochspannungsseitige MOSFETs für Motorbrücken (Halb-Brücken, H-Brücken, 3-Phasen-Motoren)

•Brückenkonfiguration kann mit 40-V-P-Kanal als High-Side-Gerät ohne Ladungspumpe realisiert werden