ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
235-2693
Herst. Teile-Nr.:
R6511END3TL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Die Rohm R6xxxENx-Serie umfasst rauscharme Produkte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf Benutzerfreundlichkeit legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine überlegene Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Geräuschreduzierung, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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