onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
671-0986
Herst. Teile-Nr.:
FQD1N80TM
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

QFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

20 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

6.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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