Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 46 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 234-6989
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die N-Kanal-MOSFETs von Infineon OptiMOSTM im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOSTM 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte zusätzlich zu verbesserter Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr) verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine signifikante Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubbelstromkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt. Er hat einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 114 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 150 V. Es ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
Niedrigster RDS(on) ermöglicht höchste Leistungsdichte und Effizienz
Höhere Betriebstemperatur bis 175 °C für erhöhte Zuverlässigkeit
Niedriger RthJC für ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Niedrigere umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr)
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)
Sehr niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung (Qrr)
Pb-freie Bleiplattierung
RoHS-Konformität
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