onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 68 A 325 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
233-6854
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L022N120M3S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

151nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.45 V

Maximale Verlustleistung Pd

325W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.8mm

Breite

5.2 mm

Höhe

41.36mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L


Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.

Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.

Das Gerät bietet geringe Schaltverluste

Es ist zu 100 % lawinengeprüft

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