onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1.2 kV / 68 A 325 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-6854
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L022N120M3S
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 325W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -0.45V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Höhe | 41.36mm | |
| Breite | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 325W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -0.45V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.8mm | ||
Höhe 41.36mm | ||
Breite 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.
Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.
Das Gerät bietet geringe Schaltverluste
Es ist zu 100 % lawinengeprüft