onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 51 A 200 W, 3-Pin TO-247-4L

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RS Best.-Nr.:
327-809
Herst. Teile-Nr.:
NTHL032N065M3S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

4.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert und verfügen über eine Planartechnologie, die einen zuverlässigen Betrieb mit negativer Gate-Spannung und Abschaltspitzen am Gate gewährleistet. Diese MOSFET-Familie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, arbeitet aber auch effektiv mit einer 15-V-Gate-Ansteuerung.

Halidfrei und RoHS-konform

15V bis 18V Torantrieb

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