onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 140 A 500 W, 7-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 277-041
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L018N075SC1
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 21,48
(ohne MwSt.)
€ 25,78
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 21,48 |
| 10 - 99 | € 19,33 |
| 100 + | € 17,83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-041
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L018N075SC1
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 262nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 262nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform