onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 140 A 500 W, 7-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 277-041
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L018N075SC1
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 262nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 262nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Hohe Schaltgeschwindigkeit bei geringer Kapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Das Gerät ist halidfrei und RoHS-konform