onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 68 A 325 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L022N120M3S
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*
€ 4.460,40
(ohne MwSt.)
€ 5.352,30
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 + | € 9,912 | € 4.460,40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L022N120M3S
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 325W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -0.45 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 41.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 325W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -0.45 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 5.2 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 41.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.
Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.
Das Gerät bietet geringe Schaltverluste
Es ist zu 100 % lawinengeprüft