onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 68 A 325 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
233-6853
Herst. Teile-Nr.:
NTH4L022N120M3S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.45 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

325W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

151nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

41.36mm

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L


Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.

Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.

Das Gerät bietet geringe Schaltverluste

Es ist zu 100 % lawinengeprüft

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