Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 135 A 100 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 10,92

(ohne MwSt.)

€ 13,105

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 5 000 Einheit(en) mit Versand ab 16. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,184€ 10,92
50 - 120€ 1,966€ 9,83
125 - 245€ 1,834€ 9,17
250 - 495€ 1,704€ 8,52
500 +€ 1,592€ 7,96

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6753
Herst. Teile-Nr.:
ISC0702NLSATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.35mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 60 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Die Produkte bieten eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.