Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 66 A 60 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
232-6749
Herst. Teile-Nr.:
ISC0602NLSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Höhe

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 80 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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