Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 135 A 100 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 232-6752
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC0702NLSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- ISC0702NLSATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 135A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 135A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 135 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC0702NLSATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstrom-Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde, bei denen effiziente Schaltvorgänge und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für die Stromumwandlung und Schaltfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 3.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 135 A, unterstützt schwere Lasten
• Die Drain-Source-Spannung von 60 V ermöglicht höhere Spannungsstufen
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 56 nC sorgt für effiziente Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Schwelle für breite Gate-Treiber-Amplituden
• Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 135 A, unterstützt schwere Lasten
• Die Drain-Source-Spannung von 60 V ermöglicht höhere Spannungsstufen
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 56 nC sorgt für effiziente Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Schwelle für breite Gate-Treiber-Amplituden
Anwendungsbereich
• Geeignet für N-Kanal-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern
• Wird mit oberflächenmontierten Hochstrom-Stromversorgungen verwendet
• Ideal für kompakte SO-8-Stromversorgungsmodule in Wandlern
• Kann für allgemeine Schaltvorgänge in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in Hochstrom-Leistungstransistorrollen
• Wird mit oberflächenmontierten Hochstrom-Stromversorgungen verwendet
• Ideal für kompakte SO-8-Stromversorgungsmodule in Wandlern
• Kann für allgemeine Schaltvorgänge in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in Hochstrom-Leistungstransistorrollen
Welchen Umgebungsbereich kann er während des Betriebs vertragen?
Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C.
Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für die Leiterplattenmontage?
Er wird in einem 8-poligen SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Welche Vorwärtsleitungscharakteristik wirkt sich auf den Leitungsabfall aus?
Das Gerät verfügt über eine Durchlassspannung von 1,1 V, die den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand beeinflusst.
Welche physischen Einschränkungen sollten Entwickler berücksichtigen?
Das Gehäuse misst 6,1 mm in der Länge, 5,35 mm in der Höhe und 1,2 mm in der Breite.
Welchen Kanaltyp und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Es verwendet eine N-Kanal-Architektur und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.