Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 96 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,21

(ohne MwSt.)

€ 6,252

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4 996 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +€ 2,605€ 5,21

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6767
Herst. Teile-Nr.:
ISC0806NLSATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

97A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Höhe

5.35mm

Breite

1.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links