onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 263 A 138.9 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 229-6465
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 263A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | NTK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 217nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 138.9W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 263A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie NTK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 217nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 138.9W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat einen extrem niedrigen Betriebswiderstand. Er hat 226 A Drain-Strom. Er wird in der Lastschaltung und im Batterie Management verwendet.
Verbesserung der Systemeffizienz
Platzsparend
Ausgezeichnete Wärmeleitung
Bleifrei
Halogenfrei/BFR-frei