Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
229-1807
Herst. Teile-Nr.:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

80 V, N-Kanal, max. 2,9 mΩ, Kfz-MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5


Zusammenfassung der Merkmale


•N-Kanal - Anreicherungstyp

•AEC-qualifiziert

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)

•Extrem niedriger RDS(on)

•100 % Lawinengeprüft

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