Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 11,62

(ohne MwSt.)

€ 13,945

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 11 860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,324€ 11,62
50 - 120€ 1,928€ 9,64
125 - 245€ 1,79€ 8,95
250 - 495€ 1,67€ 8,35
500 +€ 1,556€ 7,78

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1740
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFN8459TR
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.85 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Zweikanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem 5 x 6-L-PQFN-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.

Er ist RoHS-konform

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

Verwandte Links