Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
222-4608
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7103QTR
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

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