Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 15,29

(ohne MwSt.)

€ 18,35

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2 270 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 1,529€ 15,29
100 - 240€ 1,452€ 14,52
250 - 490€ 1,391€ 13,91
500 - 990€ 1,331€ 13,31
1000 +€ 1,238€ 12,38

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4608
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7103QTR
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Planartechnologie

Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand

Logikebenen-Gate-Antrieb

Verwandte Links