Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
215-2589
Herst. Teile-Nr.:
IRF8910TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.4nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET hat eine maximale 20-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als zweifacher SO-8 MOSFET für POL-Wandler in Desktop-, Server-, Grafikkarten-, Spielkonsolen- und Set-Top-Box.

Bleifrei

Niedriger RDS (EIN)

Besonders niedrige Gate-Impedanz

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

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