Infineon IAUS300N10S5N015T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 350 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 228-6531
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS300N10S5N015TATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS300N10S5N015TATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IAUS300N10S5N015T | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IAUS300N10S5N015T | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUS300N10S5N015T Serie MOSFET, 100 V Drain-Source-Spannung, 350 A kontinuierlicher Drain-Strom – IAUS300N10S5N015TATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Automobil- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitfähigkeit im N-Kanal-Enhancement-Modus über einen breiten Temperaturbereich bietet. Er wird in einem 16-poligen oberflächenmontierten HDSOP-Gehäuse geliefert, das für kompakte Schaltkreise geeignet ist und den Stresskriterien für die Automobilindustrie für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 350 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• Niedrige Rds(on) von 1.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Antriebs-/Spannungsabweichungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für extreme Umgebungen
• 350 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• Niedrige Rds(on) von 1.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Antriebs-/Spannungsabweichungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für extreme Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Wechselrichterstufen
• Ideal für Hochstrom-Motorsteuerungsmodule
• Einsatz mit Batteriemanagement und Stromverteilung
• Kann für DC/DC-Wandler in Fahrzeugen verwendet werden
• Geeignet für Hilfsschaltkreise von elektrischen Antrieben
• Ideal für Hochstrom-Motorsteuerungsmodule
• Einsatz mit Batteriemanagement und Stromverteilung
• Kann für DC/DC-Wandler in Fahrzeugen verwendet werden
• Geeignet für Hilfsschaltkreise von elektrischen Antrieben
Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout?
Das HDSOP-Gehäuse für die Oberflächenmontage erfordert thermische Kupferabscheidungen und mehrere Leiterplattenabdeckungen, um die Wärme aus hoher Verlustleistung zu bewältigen.
Wie verarbeitet das Gerät transiente Gate-Ausbrüche?
Die Gate-Toleranz von ±20 V definiert die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung zum Schutz vor transienten Überspannungen.
Welche thermische Umgebung wird im Dauerbetrieb unterstützt?
Der Dauerbetrieb ist über einen Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C spezifiziert, um sowohl Kaltstarts als auch erhöhte Unterhaubentemperaturen aufzunehmen.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitungsverluste der Diode aus?
Eine Durchlassspannung von 1,3 V für die intrinsische Diode bestimmt den Leitungsabfall, wenn die Body-Diode während Rückstromereignissen leitet.
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