Infineon IAUS300N08S5N011T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 228-6525
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS300N08S5N011TATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IAUS300N08S5N011T | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IAUS300N08S5N011T | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUS300N08S5N011T Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 400 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUS300N08S5N011TATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde und einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Betrieb in einem kompakten SMD-Gehäuse bietet. Er ist für die Steuerung großer Ablassströme ausgelegt und hält hohen Temperaturen stand, während er gleichzeitig geringe Leitungsverluste für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen bietet.
Merkmale und Vorteile:
• 400 A kontinuierlicher Ablassstrom bieten eine hohe Schaltleistung
• 1,1 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Lastzyklen
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht die Kompatibilität mit Systemen mit höherer Spannung
• Maximale Verlustleistung von 375 W unterstützt schwere thermische Belastungen
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht eine hohe Temperaturzuverlässigkeit
• 1,1 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Lastzyklen
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht die Kompatibilität mit Systemen mit höherer Spannung
• Maximale Verlustleistung von 375 W unterstützt schwere thermische Belastungen
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht eine hohe Temperaturzuverlässigkeit
Anwendungsbereich
• Geeignet für Wechselrichterstufen in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Einsatz mit Traktionsmotor-Steuerungen in Elektrofahrzeugen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für die Verwaltung und Verteilung von Hochleistungsbatterien verwendet
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Einsatz mit Traktionsmotor-Steuerungen in Elektrofahrzeugen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für die Verwaltung und Verteilung von Hochleistungsbatterien verwendet
Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?
Er wird in einem HDSOP-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und kompakte Leiterplatten-Layouts und Wärmemanagement ermöglicht.
Welche Diodencharakteristik sollte für die umgekehrte Leitfähigkeit berücksichtigt werden?
Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, die Leitungsverluste während Freilaufintervallen anzeigt.
Wie viele elektrische Anschlüsse stehen am Gerät zur Verfügung?
Die Komponente verfügt über 16 Pins zur Unterstützung von Gate-, Drain- und Source-Routing für Hochstrom-Board-Designs.
Welchen Halbleiterkanal und welche Betriebsart wird verwendet?
Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet und für Standard-MOSFET-Gate-Drive-Architekturen geeignet ist.
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