Infineon IAUS300N08S5N011T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A 375 W, 16-Pin HDSOP

RS Best.-Nr.:: 228-6524
Herst. Teile-Nr.:: IAUS300N08S5N011TATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IAUS300N08S5N011T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A 375 W, 16-Pin HDSOP

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Herst. Teile-Nr.:: IAUS300N08S5N011TATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	400A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	HDSOP
	Serie	IAUS300N08S5N011T
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße HDSOP
	Serie IAUS300N08S5N011T
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon IAUS300N08S5N011T Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 400 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUS300N08S5N011TATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde und einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Betrieb in einem kompakten SMD-Gehäuse bietet. Er ist für die Steuerung großer Ablassströme ausgelegt und hält hohen Temperaturen stand, während er gleichzeitig geringe Leitungsverluste für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen bietet.

Merkmale und Vorteile:

• 400 A kontinuierlicher Ablassstrom bieten eine hohe Schaltleistung
• 1,1 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Lastzyklen
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht die Kompatibilität mit Systemen mit höherer Spannung
• Maximale Verlustleistung von 375 W unterstützt schwere thermische Belastungen
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht eine hohe Temperaturzuverlässigkeit

Anwendungsbereich

• Geeignet für Wechselrichterstufen in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Einsatz mit Traktionsmotor-Steuerungen in Elektrofahrzeugen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für die Verwaltung und Verteilung von Hochleistungsbatterien verwendet

Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?

Er wird in einem HDSOP-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und kompakte Leiterplatten-Layouts und Wärmemanagement ermöglicht.

Welche Diodencharakteristik sollte für die umgekehrte Leitfähigkeit berücksichtigt werden?

Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, die Leitungsverluste während Freilaufintervallen anzeigt.

Wie viele elektrische Anschlüsse stehen am Gerät zur Verfügung?

Die Komponente verfügt über 16 Pins zur Unterstützung von Gate-, Drain- und Source-Routing für Hochstrom-Board-Designs.

Welchen Halbleiterkanal und welche Betriebsart wird verwendet?

Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet und für Standard-MOSFET-Gate-Drive-Architekturen geeignet ist.