Infineon IAUS300N10S5N015T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 350 A 375 W, 16-Pin HDSOP

RS Best.-Nr.:: 228-6530
Herst. Teile-Nr.:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IAUS300N10S5N015T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 350 A 375 W, 16-Pin HDSOP

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Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	350A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	IAUS300N10S5N015T
	Gehäusegröße	HDSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie IAUS300N10S5N015T
	Gehäusegröße HDSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon IAUS300N10S5N015T Serie MOSFET, 100 V Drain-Source-Spannung, 350 A kontinuierlicher Drain-Strom – IAUS300N10S5N015TATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Automobil- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitfähigkeit im N-Kanal-Enhancement-Modus über einen breiten Temperaturbereich bietet. Er wird in einem 16-poligen oberflächenmontierten HDSOP-Gehäuse geliefert, das für kompakte Schaltkreise geeignet ist und den Stresskriterien für die Automobilindustrie für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik entspricht.

Merkmale und Vorteile:

• 100-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 350 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• Niedrige Rds(on) von 1.5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 375 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Antriebs-/Spannungsabweichungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für extreme Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Wechselrichterstufen
• Ideal für Hochstrom-Motorsteuerungsmodule
• Einsatz mit Batteriemanagement und Stromverteilung
• Kann für DC/DC-Wandler in Fahrzeugen verwendet werden
• Geeignet für Hilfsschaltkreise von elektrischen Antrieben

Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout?

Das HDSOP-Gehäuse für die Oberflächenmontage erfordert thermische Kupferabscheidungen und mehrere Leiterplattenabdeckungen, um die Wärme aus hoher Verlustleistung zu bewältigen.

Wie verarbeitet das Gerät transiente Gate-Ausbrüche?

Die Gate-Toleranz von ±20 V definiert die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung zum Schutz vor transienten Überspannungen.

Welche thermische Umgebung wird im Dauerbetrieb unterstützt?

Der Dauerbetrieb ist über einen Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C spezifiziert, um sowohl Kaltstarts als auch erhöhte Unterhaubentemperaturen aufzunehmen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitungsverluste der Diode aus?

Eine Durchlassspannung von 1,3 V für die intrinsische Diode bestimmt den Leitungsabfall, wenn die Body-Diode während Rückstromereignissen leitet.