Infineon IPDQ60R010S7A N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
225-0578
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R010S7AXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPDQ60R010S7A

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.35mm

Länge

15.1mm

Höhe

21.06mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.

Minimiert Leitungsverluste

Erhöht die Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten

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