Infineon IPDQ60R010S7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin HDSOP

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 750 Stück)*

€ 9.606,00

(ohne MwSt.)

€ 11.527,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
750 +€ 12,808€ 9.606,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
225-0577
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R010S7AXTMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPDQ60R010S7A

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.06mm

Länge

15.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.

Minimiert Leitungsverluste

Erhöht die Energieeffizienz

Kompaktere und einfachere Designs

Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.