Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
351-942
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60T010S7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

174A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

IPDQ60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.022Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Breite

15.5 mm

Länge

15.1mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolMOS S7T mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht eine einfache Implementierung. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais, Leistungsschalter und die Netzgleichrichtung in SMPS.

Minimierte Leitungsverluste

Erhöhte Systemleistung

Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR

Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum

Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte

Reduktion der externen Sensor- Elemente

Beste Ausnutzung des Leistungstransistors

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