Infineon IPDQ60 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
- RS Best.-Nr.:
- 351-944
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDQ60T010S7AXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-22 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 318nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 820mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Länge | 15.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPDQ60 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-22 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 318nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 820mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Länge 15.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolMOS S7TA mit integriertem Temperatursensor erhöht die Genauigkeit und Robustheit der Sperrschichttemperaturmessung und ermöglicht gleichzeitig eine einfache Implementierung und funktionale Sicherheit. Der Baustein ist für Schaltanwendungen mit niedrigen Frequenzen und hohen Strömen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais, Batterietrennschalter und eFuses geeignet.
Minimierte Leitungsverluste
Erhöhte Systemleistung
Ermöglicht eine kompaktere Bauweise als EMR
Niedrigere TCO über einen längeren Zeitraum
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte
Reduktion der externen Sensor- Elemente
Beste Ausnutzung des Leistungstransistors
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