Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 162 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
222-4926
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R060C7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPP60R

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

162W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.45mm

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss

Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)

Erhöhte Schaltfrequenz

Bestes R (on)*A der Welt

Robuste Gehäusediode

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