Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-8995
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R180P7SXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit

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