Infineon IPP60R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4928
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 9% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 98,90
(ohne MwSt.)
€ 118,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,978 | € 98,90 | - |
| 100 - 200 | € 1,781 | € 89,05 | 9% |
| 250 + | € 1,682 | € 84,10 | 14% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4928
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP60R | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP60R | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPP60R Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 26 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R120P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Leistungssteuerungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Spannungstoleranz und ein hoher Temperaturbereich erforderlich sind. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und eignet sich für Schaltungsentwürfe, die einen robusten Gate-Antrieb und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit in anspruchsvollen Temperaturumgebungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 120 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 36 nC typische Gate-Ladung erleichtert die Gate-Drive-Dimensionierung für schnelleres Schalten
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt breite thermische Umgebungen
• 120 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 36 nC typische Gate-Ladung erleichtert die Gate-Drive-Dimensionierung für schnelleres Schalten
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt breite thermische Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit industriellen Wechselrichtern verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für die Schaltnetzteil-Umwandlung in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen, bei denen eine robuste thermische Toleranz erforderlich ist
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit industriellen Wechselrichtern verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für die Schaltnetzteil-Umwandlung in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen, bei denen eine robuste thermische Toleranz erforderlich ist
Wie hoch ist die empfohlene maximale Gate-Spannung für Antriebsschaltkreise?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis zu 20 V auf, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben.
Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die Montage und das Wärmemanagement aus?
Das TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung erleichtert den Kühlkörper und die einfache Leiterplattenmontage für eine verbesserte Wärmeableitung.
Welche Leitfähigkeit kann bei schweren Lasten erwartet werden?
Mit einem RDS(on) von bis zu 120 mΩ und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 26 A sind die Leitungsverluste für thermische Designberechnungen quantifizierbar.
Wie sollten Schaltverluste in der Konstruktion berücksichtigt werden?
Verwenden Sie die typische Gate-Ladung von 36 nC, um die Treiberenergie pro Schaltvorgang zu schätzen, und berücksichtigen Sie bei der Berechnung der spannungsbedingten Schaltverluste die Nennleistung von 600 V.
Verwandte Links
- Infineon IPP60R N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP60R N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP60R N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon SPA20N60C3 N-Kanal 4-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin TO-220