Infineon IPN70R N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 3 A 6 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4921
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R2K0P7SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
6000 weitere Einheiten hinzufügen, um € 30,00 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 594,00
(ohne MwSt.)
€ 714,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,198 | € 594,00 | - |
| 6000 + | € 0,193 | € 579,00 | € 30,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4921
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R2K0P7SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN70R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN70R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPN70R Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN70R2K0P7SATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verstärkungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in Schaltkreisen entwickelt wurde, die erhöhte Drain-Source-Spannungen erfordern. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine kontrollierte Gate-Ansteuerung und ein Verlustleistungsmanagement wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 700 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• 2 Ω maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei leichten Lasten
• Typische Gate-Ladung von 3,8 nC minimiert die Schaltenergie
• Die maximale Gate-Source-Grenze von 16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Pegel
• Maximale Verlustleistung von 6 W unterstützt das Wärmemanagement in SOT-223
• 3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• 2 Ω maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei leichten Lasten
• Typische Gate-Ladung von 3,8 nC minimiert die Schaltenergie
• Die maximale Gate-Source-Grenze von 16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Pegel
• Maximale Verlustleistung von 6 W unterstützt das Wärmemanagement in SOT-223
Anwendungsbereich
• Geeignet für Netzteile, die Hochspannungsschalter erfordern
• Ideal für Schaltregler mit mäßigem Strombedarf
• Wird für die Schaltung auf der Netzseite in industriellen Steuergeräten verwendet
• Kann für Beleuchtungstreiber verwendet werden, die mit hoher Spannung betrieben werden
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen verwendet, bei denen eine kompakte Stromversorgung erforderlich ist
• Ideal für Schaltregler mit mäßigem Strombedarf
• Wird für die Schaltung auf der Netzseite in industriellen Steuergeräten verwendet
• Kann für Beleuchtungstreiber verwendet werden, die mit hoher Spannung betrieben werden
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen verwendet, bei denen eine kompakte Stromversorgung erforderlich ist
Welche Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist spezifiziert für den Betrieb bei bis zu -40 °C und bis zu 150 °C.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und den Wärmeweg aus?
Das SOT-223-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und bietet einen thermischen Pfad, der für seine Verlustleistung von 6 W geeignet ist.
Welche Überlegungen zum Gate-Antrieb sind für einen sicheren Betrieb erforderlich?
Die Gate-Spannung darf 16 V nicht überschreiten und sollte so gesteuert werden, dass die gewünschte Verstärkungsleitung erreicht wird, wobei die Gate-Ladung von 3,8 nC zu beachten ist.
Wie sollten Konstrukteure Leitungsverluste bei Nennstrom berücksichtigen?
Verwenden Sie den maximalen Drain-Source-Widerstand von 2 Ω, um die Leitungsverluste im schlimmsten Fall bei Dauerstromstärken von bis zu 3 A zu schätzen.
Verwandte Links
- Infineon IPN70R N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal 3-Pin SOT-223