Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4687
Herst. Teile-Nr.:
IPN70R1K2P7SATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

6.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.8mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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