Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 189 W, 5-Pin ThinPAK

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RS Best.-Nr.:
222-4910
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R075CFD7AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPL60R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Maximale Verlustleistung Pd

189W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Breite

8.1 mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

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