Infineon IPD50R N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 219 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4907
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | IPD50R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 219W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie IPD50R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 219W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V CoolMOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS7-Serie kompletzt. CoolMOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss
Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
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