Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin ThinPAK

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RS Best.-Nr.:
222-4917
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R070C7AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPL60R

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Verlustleistung Pd

169W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

8.1 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder die Reduzierung von Teilen

12 Jahre Herstellerfahrung in der Superjunction-Technologie

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