Infineon IMBF1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.7 kV / 7.4 A 88 W, 7-Pin TO-263

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen thermischen Umgebungen. Er wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und ist für hohe Spannungen und moderate Gleichströme ausgelegt, während er in einem breiten Temperaturbereich arbeitet.

• 1700 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen
• 650 mΩ Rds minimieren Leitungsverluste bei niedrigen bis mittleren Strömen
• Die Verlustleistung von 88 W unterstützt eine erhebliche Wärmeverarbeitungsfähigkeit
• 7.4 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Stromversorgung
• Der Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C deckt raue thermische Umgebungen ab
• 23-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsfrontenden Enden
• Verwendet für Schaltnetzteile bei erhöhten Temperaturen
• Kann für die netzseitige Schaltung in der Stromverteilung verwendet werden
• Wird mit Kühlkörperanordnungen auf oberflächenmontierten Leiterplatten verwendet

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte mit geeigneten thermischen Erdungsmustern vorgesehen ist.

Das Gerät verwendet eine N-Kanal-Konfiguration und arbeitet im Enhancement-Modus für herkömmliche gate-gesteuerte Schaltvorgänge.

Der spezifizierte Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremer Kälte und hoher thermischer Belastung, ohne dass die angegebenen Grenzwerte überschritten werden.

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 23 V, was die zulässige Gate-Treiber-Amplitude für einen sicheren Betrieb definiert.

Es wird nicht angegeben, dass es den Normen der Automobilindustrie entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es den Anforderungen der Automobilindustrie entspricht.