Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4732
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4732
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform