Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 140 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-5778
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010EZPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

16.51mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


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