Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
222-4734
Herst. Teile-Nr.:
IRF3205ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

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