onsemi NTMT190N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
221-6740
Herst. Teile-Nr.:
NTMT190N65S3HF
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTMT190N

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

162W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

8.1mm

Breite

1.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität: 316 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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