onsemi NTMT190N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 4-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 9.009,00

(ohne MwSt.)

€ 10.812,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 3,003€ 9.009,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
221-6739
Herst. Teile-Nr.:
NTMT190N65S3HF
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

NTMT190N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

162W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität: 316 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links