onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

RS Best.-Nr.:: 185-9219
Herst. Teile-Nr.:: FCMT125N65S3
Hersteller:: onsemi

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

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RS Best.-Nr.:: 185-9219
Herst. Teile-Nr.:: FCMT125N65S3
Hersteller:: onsemi

Datasheet FCMT125N65S3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	PQFN4
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	181 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Breite	8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	8mm
Höhe	1.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN4

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