Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.6 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
222-4745
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5250TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4.75 mm

Länge

6mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDSon (<1,15 mΩ)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)

100 % Rg geprüft

Flache Bauweise (<0,9 mm)

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