onsemi NTH4LN019N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 625 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 221-6707
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN019N65S3H
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|---|
| 450 + | € 19,716 | € 8.872,20 |
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6707
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN019N65S3H
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH4LN019N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 282nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Höhe | 22.74mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH4LN019N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 282nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Höhe 22.74mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität: 2495 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft