onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 500 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 8,10

(ohne MwSt.)

€ 9,72

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • 411 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 8,10
10 +€ 6,98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
189-0397
Herst. Teile-Nr.:
NTHL033N65S3HF
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NTHL

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

188nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

20.82mm

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 188 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 1568 pF)

Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 28 mΩ

Vorteile

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

EV-Ladegerät

Solar/UPS

Verwandte Links