onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 189-0255
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL095N65S3HF
- Hersteller:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL095N65S3HF
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 272W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTHL | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 272W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.82 mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 66 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 569 pF)
Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 78 mΩ
Vorteile
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Anwendungen
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell
Endprodukte
Stromversorgung Telekommunikation
Stromversorgung Server
EV-Ladegerät
Solar/UPS
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