Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 2-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4610TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- IRFS4610TRLPBF
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Hohe Strombelastbarkeit
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