Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 950 V / 4 A 37 W, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 220-7452
- Mfr. Part No.:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- Brand:
- Infineon
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- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.41 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.41 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IPU95R2K0P7 von Infineon wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V-Cool-MOS-P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Er bietet 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS C3, die Serie 950 V Cool MOS P7 bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS P7 wurde mit Best-in-Class VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Ansteuern und das Design erleichtert.
Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss; Reduzierte Qg, Ziss und Coss
Erstklassiger DPAK RDS(on) von 450 mΩ
Klassenbeste VGS(der) von 3 V und kleinste VGS(die)-Variation von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
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