Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7416
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 137W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 137W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90P03P4L04ATMA2
Diese MOSFET und Diode ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgerät, das für Hochstromschaltungen in Automobil- und Leistungsumwandlungsumgebungen entwickelt wurde. Er integriert eine Body-Diode und arbeitet als P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, wodurch er sich für Systeme eignet, die einen geringen Einschaltwiderstand und eine robuste thermische Beständigkeit über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Niederspannungsstufenkonstruktionen
• Rds(on) von 4,1 mΩ reduziert Leitungsverluste bei starken Strömen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 90 A unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 125 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• Rds(on) von 4,1 mΩ reduziert Leitungsverluste bei starken Strömen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 90 A unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 125 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterschaltungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterschaltungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für einen breiten Temperaturbereich.
Was ist die Gate-Spannungsgrenze und die Auswirkungen auf das Schalten?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 5 V, was die zulässige Gate-Antriebsamplitude definiert und die Schaltspanne beeinflusst.
Wie hoch ist die Durchlassspannung der integrierten Diode?
Die Body-Diode hat eine Durchlassspannung von -1,3 V, gemessen unter bestimmten Bedingungen.
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