Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 270 A 300 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

€ 1.997,60

(ohne MwSt.)

€ 2.396,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4 800 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +€ 2,497€ 1.997,60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
220-7342
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF2804STRL
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 20 V bis 40 V für die Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen, um eine Reihe von Anforderungen zu erfüllen und RDS(on) bis hinunter auf 0,6 mEc zu erreichen. Die neue OptiMOS 6- und OptiMOS5 40-V-Benchmark-MOSFET-Technologie ermöglicht niedrige Leitungsverluste (Beste RDSon Leistung der Klasse), geringe Schaltverluste (verbessertes Schaltverhalten), verbesserte Diodenwiederherstellung und EMV-Verhalten. Diese MOSFET-Technologie wird in den Advanced- und innovativen Gehäusen eingesetzt, um die besten Produktleistungen und -qualität zu erreichen. Für ultimative Entwurfsflexibilität sind Kfz-qualifizierte MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, um eine Vielzahl von Anforderungen zu erfüllen. Infineon bietet seinen Kunden eine kontinuierliche Verbesserung der Strombelastbarkeit, des Schaltverhaltens, der Zuverlässigkeit, der Gehäusegröße und der Gesamtqualität. Die neu entwickelte integrierte Halbbrücke ist eine innovative und kostengünstige Paketlösung für Motorantriebe und Gehäuseanwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

175 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax

Verwandte Links