Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRLS3036TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

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