Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 130-1027
Herst. Teile-Nr.:: IRLS3036TRLPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 130-1027
Herst. Teile-Nr.:: IRLS3036TRLPBF
Hersteller:: Infineon

IRLS3036PbF, IRLSL3036PbF, HEXFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	270 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	380 W
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	91 nC @ 4,5 V
Länge	10.67mm
Breite	4.83mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	9.65mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRLS3036TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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